艾特商业网

三星宣布发布144MP成像传感器

更新时间:2021-08-15 08:53:38

导读 正如我们今天早些时候告诉您的那样,据传在三星Galaxy S11 +上发现的108MP传感器可采用9:1像素合并比例,而通常的比例为4:1。这将产生

正如我们今天早些时候告诉您的那样,据传在三星Galaxy S11 +上发现的108MP传感器可采用9:1像素合并比例,而通常的比例为4:1。这将产生清晰的12MP图像,记录像素大小为2.4微米。但是,如果三星将继续使用12MP图像,则像素合并比率可能会在明年年底之前提高到12:1。那是因为技巧推手Ice Universe在推特上发布的图表表明,推手相信三星将宣布采用14nm FinFET工艺制造的144MP图像信号处理器(ISP)。

有趣的是,就在上周,三星宣布了一种新的制造系统,以使用14nm FinFET工艺生产成像传感器。进程号与芯片内部的晶体管数有关。工艺图越小,集成电路内封装的晶体管数量越大。具有更多晶体管的芯片可提高性能和能效。Ice Universe的推文中包含的信息对此一无所知。

智能手机制造商之间要争夺业界最佳照片的竞争是残酷的

首先,我们应该指出,平面方法涉及构建晶体管的各个组件,然后将它们放在一起。FinFET IC使用“鳍”来控制芯片的电压,从而帮助其以更低的能耗提高性能。一张图显示,与使用28nm平面工艺制造的12MP ISP相比,使用14nm FinFET工艺制造的12MP ISP在数字方面的能耗降低了37%,在模拟方面的能耗降低了18%。第二张图表模拟了10fps捕获模式下144MP ISP的功耗。与使用28nm平面方法构建的类似ISP相比,采用14nm FinFET工艺制造的芯片在数字方面的能耗降低了42%,在模拟方面的能耗降低了21%。

高通宣布Snapdragon 865移动平台将支持高达200MP的传感器,有关即将推出144MP传感器的传言很可能是真的。我们不应该期望在Galaxy S11 +中看到144MP传感器,但也许该技术将为Galaxy Note 11+做好准备。

有传言称三星将使用14nm FinFET工艺生产144MP图像传感器

三星Galaxy S11系列产品可能会在2月18日发布,我们可以在Galaxy S11 +的背面看到多达五个摄像头。其中包括上述的108MP主相机,一台改进的超宽相机,两台长焦相机(其中一台使用潜望镜技术产生5倍光学变焦)和飞行时间(ToF)传感器,用于改善肖像上的散景模糊,增强了AR功能和安全的3D映射。据报道,108MP传感器将与远摄相机配合使用,以提供50倍混合变焦和100倍数码变焦。三星可能将此功能称为“空间缩放”。144MP传感器必将带动“太空变焦”的发展。

摄影仍然是智能手机行业中最具竞争力的战场之一。苹果今年通过添加Deep Fusion计算摄影功能,超宽镜头,慢动作自拍照和夜间模式,将游戏提升到了一个新的高度。但三星和华为准备通过Galaxy S11和P40系列为2020年定下基调。尽管摄影一直是智能手机行业不断发展的特征,但这可能是自六年前诺基亚,苹果和三星争夺摄影霸主地位(包括低光功能)以来我们所见过的最残酷的手段。当时,诺基亚Lumia 1020配备了迄今为止手机上最雄心勃勃的智能手机相机。该相机的重量为41MP,具有OIS和f / 2.2的光圈。与iPhone 5上使用的8MP后置摄像头和Galaxy Note 3使用的13MP摄像头相比。

免责声明:本文由用户上传,如有侵权请联系删除!