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Samsung 今年可说是祸不单行，继 Galaxy Note 7 出现不少爆炸个案后，有一些型号如 Galaxy A9 (2016) 亦发生了同类型事件。近日更有海外传闻指，Samsung 遗失了机密文件，当中透露了下一代旗舰 Galaxy S8 将会配置 10nm 程製的 SOC 集成器。

据消息指，Samsung Galaxy S8 採用的 10nm 集成器，是由 Exynos 8895 CPU 及 Mali-G71 GPU 组成，后者图像运算效能，会比上代 Galaxy S7 配置的 Mal-T880 GPU 强大 2 倍，而且更会支援上代的 Vulkan 3D 图像 API，以及全面对应 4K 屏幕及 VR (虚拟实景) 的体验。

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由于 Samsung Galaxy S8 採用了明年最强大的 10nm 集成器，令此机有望配置今年 3 月在加州曾经展示的 5.5 吋 4K 解像度 AMOLED 屏幕，屏幕达 806ppi 细緻度，将会是现今手机上最高细緻度的屏幕。配合全新的 Gear VR 虚拟实景装置，能看到更细緻迫真的影像。

至于拍摄规格方面，有传 Samsung Galaxy S8 亦会迎合现今手机拍摄规格的潮流，将会配备 1,200 万像素双镜头主相机，而前相机方面，则会大幅提升至 1,300 万像素，并加入虹膜识别功能。